半导体受外力,电阻率 \(\rho\) 发生变化。
灵敏系数计算: \(k=\pi E\),量纲可消,\(k\) 无量纲。给定 \(k\) 和 \(\pi\),或给定 \(k\) 和 \(E\) 时需要迅速反应。
电桥总电阻在平衡时为 \(2R\)。两支路并联,每支路电流为 \(I_s/2\)。
\[ V_{out}=\left(\frac{I_s}{2}(R+\Delta R)\right)-\left(\frac{I_s}{2}(R-\Delta R)\right)=I_s\,\Delta R \]
结果与 \(R\) 无关。
\[\phi_1+\phi_4=\phi_2+\phi_3\]
典型谐振频率: $\( f=\frac{1}{2\pi\sqrt{L(C_i+C_1+C_0+C_C)}} \)$
电容式运放: \(\frac{U_o}{U_i}=-\frac{C_F}{C}\)
\(C\) 在分母,所以原来的灵敏度 \(1/d\) 变成了 \(d\),原理线性。
其他形式: - 电荷放大器高频:\(U_o=-\frac{Q}{C_F}\) - 低频幅值近似:\(\frac{\omega Q}{\sqrt{G_F^2+\omega^2C_F^2}}\),同时 \(\tau=R_FC_F\)
相关传递函数(示意):
\[ H(\omega)\propto \frac{R R_L(R+2R_L)}{(R+R_L)^2}\cdot U_f(C_1-C_2) \]
与电压、频率及电容差有关。
\(U_A\) 和 \(U_B\) 是轮流正跳变,均为正值。
\(U_o=U_A-U_B\),正比于 $\( \frac{T_1-T_2}{T_1+T_2}\approx \frac{C_1-C_2}{C_1+C_2} \)$
优点:
温度稳定
结构简单
动态响应好
灵敏度、分辨力高
缺点: - 负载能力差、阻抗高 - 寄生电容 - 原理非线性
克服缺点: - 保证绝缘材料绝缘性能 - 减少边缘效应:增大边长 / 减小间距 / 等位环 - 减少寄生电容:增加原始电容值 / 采用驱动电缆 / 集成化 / 运放或整体屏蔽 - 减少外界干扰
测厚除了电涡流外还可以用电容,差动测厚设计常用。
磁电传感器固有频率远大于压电传感器固有频率。